Name: IPW65R080CFDFKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW65R080CFDFKSA2-ND
Price: 9.3654 EUR
Availability: InStock

Canal N 650 V 43,3 A (Tc) 391W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3

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IPW65R080CFDFKSA2
Numéro de produit DigiKey	448-IPW65R080CFDFKSA2-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPW65R080CFDFKSA2
Description	MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 43,3 A (Tc) 391W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPW65R080CFDFKSA2 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 1,8mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 167 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ CFD2	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5030 pF @ 100 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 391W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 43,3 A (Tc)	Boîtier TO-247-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPW65R080
Rds On (max.) à Id, Vgs 80mohms à 17,6 A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	7,74000 €	7,74 €
30	4,51800 €	135,54 €
120	3,81017 €	457,22 €
510	3,29153 €	1 678,68 €
1 020	3,16322 €	3 226,48 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.