Name: IPW65R048CFDAFKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW65R048CFDAFKSA1-ND
Price: 11.6039 EUR
Availability: InStock

Canal N 650 V 63,3 A (Tc) 500W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3

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IPW65R048CFDAFKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPW65R048CFDAFKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPW65R048CFDAFKSA1
Description	MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 63,3 A (Tc) 500W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPW65R048CFDAFKSA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 270 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série CoolMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7440 pF @ 100 V
Conditionnement Tube	Dissipation de puissance (max.) 500W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 63,3 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-247-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 48mohms à 29,4A, 10V	Numéro de produit de base IPW65R048
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 2,9mA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	9,59000 €	9,59 €
30	5,69833 €	170,95 €
120	4,84475 €	581,37 €
510	4,21971 €	2 152,05 €
1 020	4,19213 €	4 275,97 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.