
IPW65R045C7FKSA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | IPW65R045C7FKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPW65R045C7FKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 31 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 46 A (Tc) 227W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPW65R045C7FKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1,25mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 93 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4340 pF @ 400 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 227W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO247-3-1 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 45mohms à 24,9A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH041N65F-F085 | onsemi | 282 | FCH041N65F-F085-ND | 13,31000 € | Similaire |
| IXTH80N65X2 | IXYS | 115 | IXTH80N65X2-ND | 13,96000 € | Similaire |
| SIHG70N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 270 | 742-SIHG70N60EF-GE3-ND | 12,88000 € | Similaire |
| STW70N60DM2 | STMicroelectronics | 170 | 497-16345-5-ND | 9,93000 € | Similaire |
| STW77N65M5 | STMicroelectronics | 237 | 497-10589-5-ND | 14,78000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 9,94000 € | 9,94 € |
| 30 | 5,92233 € | 177,67 € |
| 120 | 5,04208 € | 605,05 € |
| 510 | 4,39751 € | 2 242,73 € |
| 1 020 | 4,39197 € | 4 479,81 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 9,94000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 12,02740 € |









