Name: IPW65R019C7FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW65R019C7FKSA1-ND
Price: 22.022 EUR
Availability: InStock

Canal N 650 V 75 A (Tc) 446W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3

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IPW65R019C7FKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPW65R019C7FKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPW65R019C7FKSA1
Description	MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 75 A (Tc) 446W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPW65R019C7FKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 2,92mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 215 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ C7	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9900 pF @ 400 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 446W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 75 A (Tc)	Boîtier TO-247-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPW65R019
Rds On (max.) à Id, Vgs 19mohms à 58,3A, 10V

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	18,20000 €	18,20 €
30	11,44200 €	343,26 €
120	9,96183 €	1 195,42 €
510	9,61608 €	4 904,20 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.