
IPW60R190E6FKSA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | IPW60R190E6FKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPW60R190E6FKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPW60R190E6FKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 630µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 63 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1400 pF @ 100 V |
Statut du composant Date de dernière disponibilité | Dissipation de puissance (max.) 151W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur PG-TO247-3-1 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 190mohms à 9,5A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R180P7XKSA1-ND | 3,29000 € | Recommandation fabricant |
| FCH190N65F-F155 | onsemi | 381 | FCH190N65F-F155-ND | 6,35000 € | Similaire |
| IXFH50N60P3 | IXYS | 357 | 238-IXFH50N60P3-ND | 11,62000 € | Similaire |
| IXFR48N60Q3 | IXYS | 0 | IXFR48N60Q3-ND | 24,20347 € | Similaire |
| SIHG22N60E-E3 | Vishay Siliconix | 500 | SIHG22N60E-E3-ND | 4,85000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,82000 € | 3,82 € |
| 30 | 2,11667 € | 63,50 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 3,82000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 4,62220 € |



