Name: IPW60R099P6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW60R099P6XKSA1-ND
Price: 6.0137 EUR
Availability: InStock

Canal N 600 V 37,9 A (Tc) 278W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3

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IPW60R099P6XKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPW60R099P6XKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPW60R099P6XKSA1
Description	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 37,9 A (Tc) 278W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPW60R099P6XKSA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 1,21mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 70 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ P6	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3330 pF @ 100 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 278W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 37,9 A (Tc)	Boîtier TO-247-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPW60R099
Rds On (max.) à Id, Vgs 99mohms à 14,5A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	4,97000 €	4,97 €
30	2,79800 €	83,94 €
120	2,31992 €	278,39 €
510	1,96925 €	1 004,32 €
1 020	1,84129 €	1 878,12 €
2 010	1,75334 €	3 524,21 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.