Name: IPTC039N15NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPTC039N15NM5ATMA1TR-ND
Price: 7.4657 EUR
Availability: InStock

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IPTC039N15NM5ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPTC039N15NM5ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPTC039N15NM5ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPTC039N15NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPTC039N15NM5ATMA1
Description	OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	48 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3,8W (Ta), 319W (Tc) Montage en surface PG-HDSOP-16-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPTC039N15NM5ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 3,9mohms à 50 A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 4,6V à 243µA
Série OptiMOS™ 5	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 93 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7300 pF @ 75 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 319W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 150 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 21A (Ta), 190A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-HDSOP-16-2
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 8V, 10V	Boîtier Module 16-PowerSOP