IPTC015N10NM5ATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IPTC015N10NM5ATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Infineon Technologies

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Prix unitaire : 5,27000 €

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IPTC015N10NM5ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPTC015N10NM5ATMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPTC015N10NM5ATMA1
Description	MOSFET N-CH 100V 35A/354A HDSOP
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 35A (Ta), 354A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montage en surface PG-HDSOP-16-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPTC015N10NM5ATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 275µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 208 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ 5	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 16000 pF @ 50 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 375W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur PG-HDSOP-16-2
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 35A (Ta), 354A (Tc)	Boîtier Module 16-PowerSOP
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base IPTC015N
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5mohms à 100A, 10V