Name: IPT60R099CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT60R099CM8XTMA1TR-ND
Price: 4.4407 EUR
Availability: InStock

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IPT60R099CM8XTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPT60R099CM8XTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPT60R099CM8XTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPT60R099CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPT60R099CM8XTMA1
Description	IPT60R099CM8XTMA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 30 A (Tc) 186W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-2
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 99mohms à 10,1A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 4,7V à 260µA
Série CoolMOS™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 31 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1330 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 186W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-HSOF-8-2
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier 8-PowerSFN