Name: IPT60R080G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT60R080G7XTMA1TR-ND
Price: 7.2116 EUR
Availability: InStock

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IPT60R080G7XTMA1
Numéro de produit DigiKey	IPT60R080G7XTMA1TR-ND - Bande et bobine IPT60R080G7XTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPT60R080G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPT60R080G7XTMA1
Description	MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	30 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 29 A (Tc) 167W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPT60R080G7XTMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 490µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ G7	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1640 pF @ 400 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 167W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Boîtier fournisseur PG-HSOF-8-2
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 29 A (Tc)	Boîtier 8-PowerSFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPT60R080
Rds On (max.) à Id, Vgs 80mohms à 9,7A, 10V