Name: IPT129N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT129N20NM6ATMA1TR-ND
Price: 8.1796 EUR
Availability: InStock

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IPT129N20NM6ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPT129N20NM6ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPT129N20NM6ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPT129N20NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPT129N20NM6ATMA1
Description	TRENCH >=100V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 11A (Ta), 87A (Tc) 3,8W (Ta), 234W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-1
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 12mohms à 65A, 15V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 129µA
Série OptiMOS™ 6	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 56 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3800 pF @ 100 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 234W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11A (Ta), 87A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-HSOF-8-1
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V, 15V	Boîtier 8-PowerSFN