Name: IPP65R095C7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP65R095C7XKSA1-ND
Price: 6.7397 EUR
Availability: InStock

Canal N 650 V 24 A (Tc) 128W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3

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IPP65R095C7XKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPP65R095C7XKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP65R095C7XKSA1
Description	MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 24 A (Tc) 128W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPP65R095C7XKSA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 590µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 45 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ C7	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2140 pF @ 400 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 128W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-TO220-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 24 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPP65R095
Rds On (max.) à Id, Vgs 95mohms à 11,8A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	5,57000 €	5,57 €
50	2,94380 €	147,19 €
100	2,69100 €	269,10 €
500	2,24820 €	1 124,10 €
1 000	2,10608 €	2 106,08 €
2 000	2,03902 €	4 078,04 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.