


IPG20N10S4L22ATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPG20N10S4L22ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPG20N10S4L22ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPG20N10S4L22ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPG20N10S4L22ATMA1 |
Description | MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 35 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 100V 20A 60W Montage en surface PG-TDSON-8-4 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPG20N10S4L22ATMA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,1V à 25µA |
Fabricant Infineon Technologies | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 27nC à 10V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1755pF à 25V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Puissance - Max. 60W |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Grade Automobile |
Configuration 2 canaux N (double) | Qualification AEC-Q101 |
Fonction FET Porte de niveau logique | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 100V | Boîtier 8-PowerVDFN |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20A | Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-4 |
Rds On (max.) à Id, Vgs 22mohms à 17A, 10V | Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,17000 € | 2,17 € |
| 10 | 1,39500 € | 13,95 € |
| 100 | 0,95140 € | 95,14 € |
| 500 | 0,76164 € | 380,82 € |
| 1 000 | 0,70063 € | 700,63 € |
| 2 000 | 0,69699 € | 1 393,98 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5 000 | 0,59385 € | 2 969,25 € |
| 10 000 | 0,56943 € | 5 694,30 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 2,17000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,62570 € |






