


IPG20N10S4L22ATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPG20N10S4L22ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPG20N10S4L22ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPG20N10S4L22ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPG20N10S4L22ATMA1 |
Description | MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 12 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 100V 20A 60W Montage en surface PG-TDSON-8-4 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPG20N10S4L22ATMA1 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Infineon Technologies | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 100V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 20A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 22mohms à 17A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,1V à 25µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 27nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1755pF à 25V | |
Puissance - Max. | 60W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | Automobile | |
Qualification | AEC-Q101 | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-PowerVDFN | |
Boîtier fournisseur | PG-TDSON-8-4 | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,02000 € | 2,02 € |
| 10 | 1,29900 € | 12,99 € |
| 100 | 0,88530 € | 88,53 € |
| 500 | 0,70810 € | 354,05 € |
| 1 000 | 0,69033 € | 690,33 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5 000 | 0,56400 € | 2 820,00 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 2,02000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,44420 € |









