Name: IPG20N04S408ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N04S408ATMA1TR-ND
Price: 2.8798 EUR
Availability: InStock

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IPG20N04S408ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPG20N04S408ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPG20N04S408ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPG20N04S408ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPG20N04S408ATMA1
Description	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 40V 20A 65W Montage en surface PG-TDSON-8-4
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPG20N04S408ATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 30µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 36nC à 10V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2940pF à 25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 65W
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Configuration 2 canaux N (double)	Boîtier 8-PowerVDFN
Tension drain-source (Vdss) 40V	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-4
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20A	Numéro de produit de base IPG20N
Rds On (max.) à Id, Vgs 7,6mohms à 17A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (4)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
PJQ5844_R2_00001	Panjit International Inc.	0	3757-PJQ5844_R2_00001TR-ND	0,35339 €	Similaire
TQM076NH04DCR RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	995	1801-TQM076NH04DCRRLGCT-ND	2,20000 €	Similaire
TSM076NH04DCR RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	4 432	1801-TSM076NH04DCRRLGCT-ND	2,09000 €	Similaire
TSM076NH04LDCR RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	4 419	1801-TSM076NH04LDCRRLGCT-ND	2,09000 €	Similaire

En stock: 7 841

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Quantité

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