Name: IPF016N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPF016N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 6.6066 EUR
Availability: InStock

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IPF016N10NF2SATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPF016N10NF2SATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPF016N10NF2SATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPF016N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPF016N10NF2SATMA1
Description	TRENCH >=100V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 274 A (Tc) 300W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-14
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPF016N10NF2SATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 267µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 241 nC @ 10 V
Série StrongIRFET™ 2	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 11000 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 300W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-7-14
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 274 A (Tc)	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base IPF016N
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,6mohms à 100A, 10V