Name: IPD90P03P4L04ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD90P03P4L04ATMA2TR-ND
Price: 3.509 EUR
Availability: InStock

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IPD90P03P4L04ATMA2
Numéro de produit DigiKey	448-IPD90P03P4L04ATMA2TR-ND - Bande et bobine 448-IPD90P03P4L04ATMA2CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPD90P03P4L04ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD90P03P4L04ATMA2
Description	MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 90 A (Tc) 137W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD90P03P4L04ATMA2 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 160 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) +5V, -16V
Série OptiMOS™ P2	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 11300 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 137W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal P	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 90 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO252-3-11
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,1mohms à 90A, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 253µA	Numéro de produit de base IPD90