Name: IPD90N06S407ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD90N06S407ATMA2TR-ND
Price: 2.0207 EUR
Availability: InStock

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IPD90N06S407ATMA2
Numéro de produit DigiKey	448-IPD90N06S407ATMA2TR-ND - Bande et bobine 448-IPD90N06S407ATMA2CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPD90N06S407ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD90N06S407ATMA2
Description	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 90 A (Tc) 79W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD90N06S407ATMA2 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 40µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 56 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 79W (Tc)
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 90 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO252-3-11
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 6,9mohms à 90A, 10V	Numéro de produit de base IPD90

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
TK6R7P06PL,RQ	Toshiba Semiconductor and Storage	21 256	TK6R7P06PLRQCT-ND	1,56000 €	Similaire

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