Name: IPD90N03S4L03ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD90N03S4L03ATMA1TR-ND
Price: 2.3353 EUR
Availability: InStock

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IPD90N03S4L03ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPD90N03S4L03ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD90N03S4L03ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD90N03S4L03ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD90N03S4L03ATMA1
Description	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 90 A (Tc) 94W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD90N03S4L03ATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 75 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±16V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5100 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 94W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 90 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO252-3-11
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,3mohms à 90A, 10V	Numéro de produit de base IPD90
Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 45µA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IPD90N03S4L02ATMA1	Infineon Technologies	53 113	IPD90N03S4L02ATMA1CT-ND	2,20000 €	Recommandation fabricant
IRLR7843TRPBF	Infineon Technologies	17 126	IRLR7843PBFCT-ND	1,53000 €	Similaire