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IPD78CN10NGBUMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPD78CN10NGBUMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPD78CN10NGBUMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD78CN10NGBUMA1 |
Description | MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 13 A (Tc) 31W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 12µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 11 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 716 pF @ 50 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 31W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Boîtier fournisseur PG-TO252-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 78mohms à 13A, 10V |
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Substituts (7)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | 5 244 | IPD78CN10NGATMA1CT-ND | 1,07000 € | Direct |
| DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | 1 255 | DMN10H099SK3-13DICT-ND | 1,08000 € | Similaire |
| DMN10H100SK3-13 | Diodes Incorporated | 3 761 | DMN10H100SK3-13DICT-ND | 1,16000 € | Similaire |
| RBE210N10R1SZN2#HB0 | Renesas Electronics Corporation | 0 | 559-RBE210N10R1SZN2#HB0TR-ND | 0,30494 € | Similaire |
| STD10NF10T4 | STMicroelectronics | 5 085 | 497-3153-1-ND | 1,69000 € | Similaire |
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