Name: IPD65R660CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND
Price: 2.4926 EUR
Availability: InStock

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IPD65R660CFDAATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPD65R660CFDAATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPD65R660CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD65R660CFDAATMA1
Description	MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	29 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 6 A (Tc) 62,5W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD65R660CFDAATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série CoolMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 543 pF @ 100 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 62,5W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO252-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 660mohms à 3,22A, 10V	Numéro de produit de base IPD65R660
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 214,55µA