Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND
Price: 2.2506 EUR
Availability: InStock

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IPD60N10S4L12ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD60N10S4L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD60N10S4L12ATMA1
Description	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 60 A (Tc) 94W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-313
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD60N10S4L12ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 49 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±16V
Série HEXFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3170 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 94W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO252-3-313
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 12mohms à 60A, 10V	Numéro de produit de base IPD60N10
Vgs(th) (max.) à Id 2,1V à 46µA