IPD50N03S2L06ATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

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IPD50N03S2L06ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPD50N03S2L06ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD50N03S2L06ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD50N03S2L06ATMA1
Description	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 50 A (Tc) 136W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD50N03S2L06ATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 68 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1900 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 136W (Tc)
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 50 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO252-3-11
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 6,4mohms à 50A, 10V	Numéro de produit de base IPD50
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 85µA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IPD50N06S2L13ATMA2	Infineon Technologies	4 555	448-IPD50N06S2L13ATMA2CT-ND	2,03000 €	Recommandation fabricant
IRFR3504ZTRPBF	Infineon Technologies	81	IRFR3504ZPBFCT-ND	1,71000 €	Similaire
IRLR8726TRPBF	Infineon Technologies	56 930	IRLR8726TRPBFCT-ND	0,82000 €	Similaire