Name: IPD35N12S3L24ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD35N12S3L24ATMA1TR-ND
Price: 2.5047 EUR
Availability: InStock

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IPD35N12S3L24ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPD35N12S3L24ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD35N12S3L24ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD35N12S3L24ATMA1
Description	MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 120 V 35 A (Tc) 71W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 39 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2700 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 71W (Tc)
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 120 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 35 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO252-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 24mohms à 35A, 10V	Numéro de produit de base IPD35N12
Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 39µA