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IPD30N06S2L23ATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPD30N06S2L23ATMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD30N06S2L23ATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 55 V 30 A (Tc) 100W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1091 pF @ 25 V |
Conditionnement Bande et bobine | Dissipation de puissance (max.) 100W (Tc) |
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 55 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PG-TO252-3-11 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 23mohms à 22A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 50µA |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD30N06S2L23ATMA3 | Infineon Technologies | 10 010 | IPD30N06S2L23ATMA3CT-ND | 1,67000 € | Direct |
| IRFR1205TRPBF | Infineon Technologies | 34 669 | IRFR1205PBFCT-ND | 1,39000 € | Similaire |
| IRFR4105TRPBF | Infineon Technologies | 13 225 | IRFR4105PBFCT-ND | 1,46000 € | Similaire |
| IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies | 0 | IRLR2905PBFCT-ND | 1,61000 € | Similaire |
| DMNH6021SK3Q-13 | Diodes Incorporated | 3 192 | DMNH6021SK3Q-13DICT-ND | 1,27000 € | Similaire |







