Name: IPD110N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD110N12N3GATMA1TR-ND
Price: 2.9161 EUR
Availability: InStock

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IPD110N12N3GATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPD110N12N3GATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD110N12N3GATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD110N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD110N12N3GATMA1
Description	MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 120 V 75 A (Tc) 136W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD110N12N3GATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 83µA (typ.)
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 65 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4310 pF @ 60 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 136W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 120 V	Boîtier fournisseur PG-TO252-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 75 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPD110
Rds On (max.) à Id, Vgs 11mohms à 75A, 10V