Name: IPD082N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD082N10N3GATMA1TR-ND
Price: 2.7588 EUR
Availability: InStock

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IPD082N10N3GATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPD082N10N3GATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD082N10N3GATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD082N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD082N10N3GATMA1
Description	MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 80 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD082N10N3GATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 75µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 55 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3980 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 125W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur PG-TO252-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base IPD082
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,2mohms à 73A, 10V