Name: IPD075N03LGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD075N03LGATMA1TR-ND
Price: 1.1979 EUR
Availability: InStock

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IPD075N03LGATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPD075N03LGATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD075N03LGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD075N03LGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD075N03LGATMA1
Description	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 50 A (Tc) 47W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD075N03LGATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 18 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1900 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 47W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur PG-TO252-3-11
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 50 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base IPD075
Rds On (max.) à Id, Vgs 7,5mohms à 30A, 10V

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