Name: IPB80N06S2H5ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND
Price: 4.6948 EUR
Availability: InStock

IPB80N06S2H5ATMA2 est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.

Substituts disponibles:

Similaire

STMicroelectronics

En stock: 842

Prix unitaire : 5,08000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPB80N06S2H5ATMA2
Numéro de produit DigiKey	IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND - Bande et bobine IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND - Bande coupée (CT) IPB80N06S2H5ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB80N06S2H5ATMA2
Description	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 55 V 80 A (Tc) 300W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB80N06S2H5ATMA2 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 155 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4400 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 300W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 55 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO263-3-2
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,2mohms à 80A, 10V	Numéro de produit de base IPB80N
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 230µA