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Canal N 55 V 80 A (Tc) 215W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
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IPB80N06S208ATMA1

Numéro de produit DigiKey
IPB80N06S208ATMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPB80N06S208ATMA1
Description
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 55 V 80 A (Tc) 215W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
96 nC @ 10 V
Fabricant
Vgs (max.)
±20V
Série
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2860 pF @ 25 V
Conditionnement
Bande et bobine
Dissipation de puissance (max.)
215W (Tc)
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET
Grade
Automobile
Technologies
Qualification
AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss)
55 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
PG-TO263-3-2
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
7,7mohms à 58A, 10V
Numéro de produit de base
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 150µA
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (4)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
PSMN7R6-60BS,118Nexperia USA Inc.1521727-7215-1-ND2,18000 €Similaire
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En stock: 0
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