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IPB70N10S312ATMA2 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IPB70N10S312ATMA2TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPB70N10S312ATMA2 |
Description | MOSFET_(75V 120V( |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 18 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 70 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPB70N10S312ATMA2 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 66 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4355 pF @ 25 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 125W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Grade Automobile |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Qualification AEC-Q101 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Type de montage Montage en surface |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier fournisseur PG-TO263-3-2 |
Rds On (max.) à Id, Vgs 11,6mohms à 70A, 10V | Boîtier |
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 83µA |
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Substituts (1)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB70N10S312ATMA1 | Infineon Technologies | 1 917 | IPB70N10S312ATMA1CT-ND | 3,37000 € | Équivalent paramétrique |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 000 | 1,27455 € | 1 274,55 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,27455 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,54221 € |
