Name: IPB70N10S312ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB70N10S312ATMA1TR-ND
Price: 4.0777 EUR
Availability: InStock

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IPB70N10S312ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPB70N10S312ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPB70N10S312ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPB70N10S312ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB70N10S312ATMA1
Description	MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 70 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 66 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4355 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 125W (Tc)
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 70 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO263-3-2
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 11,3mohms à 70A, 10V	Numéro de produit de base IPB70N10
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 83µA