Name: IPB110N20N3LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB110N20N3LFATMA1TR-ND
Price: 8.1917 EUR
Availability: InStock

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IPB110N20N3LFATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPB110N20N3LFATMA1TR-ND - Bande et bobine IPB110N20N3LFATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPB110N20N3LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB110N20N3LFATMA1
Description	MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 88 A (Tc) 250W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB110N20N3LFATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,2V à 260µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 76 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ 3	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 650 pF @ 100 V
Statut du composant Date de dernière disponibilité	Dissipation de puissance (max.) 250W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 88 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPB110
Rds On (max.) à Id, Vgs 11mohms à 88A, 10V