Name: IPB017N10N5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB017N10N5LFATMA1TR-ND
Price: 7.5383 EUR
Availability: InStock

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IPB017N10N5LFATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPB017N10N5LFATMA1TR-ND - Bande et bobine IPB017N10N5LFATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPB017N10N5LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB017N10N5LFATMA1
Description	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	43 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 180 A (Tc) 313W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB017N10N5LFATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,1V à 270µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 195 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ 5	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 840 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 313W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-7
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 180 A (Tc)	Boîtier TO-263-7, D2PAK (6 sorties + languette)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPB017
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,7mohms à 100A, 10V