IPB015N04NGATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

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IPB015N04NGATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPB015N04NGATMA1TR-ND - Bande et bobine IPB015N04NGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPB015N04NGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB015N04NGATMA1
Description	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 120 A (Tc) 250W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB015N04NGATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 200µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 250 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 20000 pF @ 20 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 250W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 155°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPB015
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5mohms à 100A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (9)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IPB014N04NF2SATMA1	Infineon Technologies	780	448-IPB014N04NF2SATMA1CT-ND	2,36000 €	Recommandation fabricant
IRFS7434TRLPBF	Infineon Technologies	6 250	IRFS7434TRLPBFCT-ND	2,80000 €	Similaire
BUK661R9-40C,118	Nexperia USA Inc.	1 125	1727-5518-1-ND	4,11000 €	Similaire
FDB9406-F085	onsemi	377	FDB9406-F085CT-ND	3,62000 €	Similaire
IXTA120N04T2	IXYS	0	IXTA120N04T2-ND	1,61353 €	Similaire