IPB015N04LGATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

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IPB015N04LGATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPB015N04LGATMA1TR-ND - Bande et bobine IPB015N04LGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPB015N04LGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB015N04LGATMA1
Description	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 120 A (Tc) 250W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB015N04LGATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 200µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 346 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 28000 pF @ 25 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 250W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base IPB015
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5mohms à 100A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (5)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IRFS7434TRLPBF	Infineon Technologies	6 250	IRFS7434TRLPBFCT-ND	2,80000 €	Similaire
BUK661R9-40C,118	Nexperia USA Inc.	1 125	1727-5518-1-ND	4,11000 €	Similaire
FDB9406-F085	onsemi	377	FDB9406-F085CT-ND	3,62000 €	Similaire
IXTA120N04T2	IXYS	0	IXTA120N04T2-ND	1,61353 €	Similaire
PSMN1R1-40BS,118	Nexperia USA Inc.	765	1727-7105-1-ND	3,99000 €	Similaire