Name: IPAN60R125PFD7SXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPAN60R125PFD7SXKSA1-ND
Price: 3.5332 EUR
Availability: InStock

Canal N 650 V 25 A (Tc) 32W (Tc) Trou traversant PG-TO220-FP

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IPAN60R125PFD7SXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPAN60R125PFD7SXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPAN60R125PFD7SXKSA1
Description	MOSFET N-CH 650V 25A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	29 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 25 A (Tc) 32W (Tc) Trou traversant PG-TO220-FP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPAN60R125PFD7SXKSA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 390µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 36 nC @ 10 V
Série CoolMOS™PFD7	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1503 pF @ 400 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 32W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-TO220-FP
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 25 A (Tc)	Boîtier Boîtier complet TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPAN60
Rds On (max.) à Id, Vgs 125mohms à 7,8A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 6 981

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	2,92000 €	2,92 €
50	1,46320 €	73,16 €
100	1,32120 €	132,12 €
500	1,07214 €	536,07 €
1 000	0,99212 €	992,12 €
2 000	0,92486 €	1 849,72 €
5 000	0,85702 €	4 285,10 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.