Name: IPA80R1K4CEXKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA80R1K4CEXKSA2-ND
Price: 2.1538 EUR
Availability: InStock

Canal N 800 V 3,9 A (Tc) 31W (Tc) Trou traversant PG-TO220-FP

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IPA80R1K4CEXKSA2
Numéro de produit DigiKey	IPA80R1K4CEXKSA2-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPA80R1K4CEXKSA2
Description	MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 3,9 A (Tc) 31W (Tc) Trou traversant PG-TO220-FP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPA80R1K4CEXKSA2 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 240µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23 nC @ 10 V
Série CoolMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 570 pF @ 100 V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Dissipation de puissance (max.) 31W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 800 V	Boîtier fournisseur PG-TO220-FP
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,9 A (Tc)	Boîtier Boîtier complet TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPA80R1
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,4ohms à 2,3A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	1,78000 €	1,78 €
50	0,85220 €	42,61 €
100	0,76250 €	76,25 €
500	0,60488 €	302,44 €
1 000	0,55417 €	554,17 €
2 000	0,51153 €	1 023,06 €
5 000	0,46541 €	2 327,05 €
10 000	0,43692 €	4 369,20 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.