
IPA60R380C6XKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPA60R380C6XKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPA60R380C6XKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 10,6 A (Tc) 31W (Tc) Trou traversant PG-TO220-FP |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPA60R380C6XKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 320µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 32 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 700 pF @ 100 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 31W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-FP |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 380mohms à 3,8A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTP12N65X2M | IXYS | 0 | IXTP12N65X2M-ND | 2,28590 € | Similaire |
| R6011ENX | Rohm Semiconductor | 373 | R6011ENX-ND | 3,66000 € | Similaire |
| SIHF12N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHF12N60E-E3-ND | 3,20000 € | Similaire |
| SIHF12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 197 | 742-SIHF12N60E-GE3-ND | 3,20000 € | Similaire |
| STF10NM60ND | STMicroelectronics | 378 | 497-12246-ND | 2,24000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,28000 € | 2,28 € |
| 50 | 1,11360 € | 55,68 € |
| 100 | 1,00070 € | 100,07 € |
| 500 | 0,80276 € | 401,38 € |
| 1 000 | 0,73915 € | 739,15 € |
| 2 000 | 0,68566 € | 1 371,32 € |
| 5 000 | 0,62780 € | 3 139,00 € |
| 10 000 | 0,60662 € | 6 066,20 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 2,28000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,75880 € |

