Name: IMZC120R053M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZC120R053M2HXKSA1-ND
Price: 10.4423 EUR
Availability: InStock

Canal N 1200 V 38 A (Tc) 182W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-17

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IMZC120R053M2HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMZC120R053M2HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMZC120R053M2HXKSA1
Description	SICFET N-CH 1200V 38A TO247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	45 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 38 A (Tc) 182W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-17
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMZC120R053M2HXKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 53mohms à 13A, 18V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 5,1V à 4,1mA
Série CoolSiC™ G2	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30 nC @ 18 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) +23V, -7V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1010 pF @ 800 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 182W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 38 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO247-4-17
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 18V	Boîtier TO-247-4

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	8,63000 €	8,63 €
30	5,08567 €	152,57 €
120	4,30675 €	516,81 €
510	3,73622 €	1 905,47 €
1 020	3,65298 €	3 726,04 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.