Canal N 1200 V 80 A (Tc) 329W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-17
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Canal N 1200 V 80 A (Tc) 329W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R022M2HXKSA1

Numéro de produit DigiKey
448-IMZC120R022M2HXKSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IMZC120R022M2HXKSA1
Description
SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
69 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 80 A (Tc) 329W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-17
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IMZC120R022M2HXKSA1 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Rds On (max.) à Id, Vgs
22mohms à 32A, 18V
Fabricant
Vgs(th) (max.) à Id
5,1V à 10,1mA
Série
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
71 nC @ 18 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
+23V, -7V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2330 pF @ 800 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
329W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
PG-TO247-4-17
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
15V, 18V
Boîtier
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 881
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Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
114,65000 €14,65 €
309,03367 €271,01 €
1207,80325 €936,39 €
5107,27590 €3 710,71 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:14,65000 €
Prix unitaire avec TVA:17,72650 €