
IMW65R027M1HXKSA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | 448-IMW65R027M1HXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IMW65R027M1HXKSA1 |
Description | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 47 A (Tc) 189W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-41 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IMW65R027M1HXKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5,7V à 11mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 62 nC @ 18 V |
Série | Vgs (max.) +23V, -5V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2131 pF @ 400 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 189W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO247-3-41 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 34mohms à 38,3A, 18V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
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| MSC015SMA070B | Microchip Technology | 101 | 691-MSC015SMA070B-ND | 15,20000 € | Similaire |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | 13,20000 € | Similaire |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | 10,42000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 12,30000 € | 12,30 € |
| 30 | 7,46900 € | 224,07 € |
| 120 | 6,41008 € | 769,21 € |
| 510 | 5,80218 € | 2 959,11 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 12,30000 € |
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| Prix unitaire avec TVA: | 14,88300 € |





