Name: IMBG65R107M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R107M1HXTMA1TR-ND
Price: 8.2522 EUR
Availability: InStock

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IMBG65R107M1HXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMBG65R107M1HXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IMBG65R107M1HXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IMBG65R107M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMBG65R107M1HXTMA1
Description	SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 24 A (Tc) 110W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-12
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMBG65R107M1HXTMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5,7V à 2,6mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15 nC @ 18 V
Série CoolSIC™ M1	Vgs (max.) +23V, -5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 496 pF @ 400 V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Dissipation de puissance (max.) 110W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-7-12
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 24 A (Tc)	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V	Numéro de produit de base IMBG65R
Rds On (max.) à Id, Vgs 141mohms à 8,9A, 18V