Name: IMBG65R050M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R050M2HXTMA1TR-ND
Price: 8.2159 EUR
Availability: InStock

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IMBG65R050M2HXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMBG65R050M2HXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IMBG65R050M2HXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IMBG65R050M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMBG65R050M2HXTMA1
Description	SILICON CARBIDE MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 41 A (Tc) 172W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-12
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 3,7mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22 nC @ 18 V
Série CoolSiC™ Gen 2	Vgs (max.) +23V, -7V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 790 pF @ 400 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 172W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-7-12
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 41 A (Tc)	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 20V	Numéro de produit de base IMBG65R050
Rds On (max.) à Id, Vgs 62mohms à 18,2A, 18V