Name: IMBG65R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 22.748 EUR
Availability: InStock

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IMBG65R010M2HXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IMBG65R010M2HXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IMBG65R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMBG65R010M2HXTMA1
Description	SILICON CARBIDE MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 158 A (Tc) 535W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-12
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMBG65R010M2HXTMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 9,1mohms à 92,1A, 20V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 18,7mA
Série CoolSiC™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 112 nC @ 18 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +23V, -7V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4001 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 535W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 158 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO263-7-12
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 20V	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA