Name: IGT65R055D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R055D2ATMA1TR-ND
Price: 7.3689 EUR
Availability: InStock

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IGT65R055D2ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IGT65R055D2ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IGT65R055D2ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IGT65R055D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IGT65R055D2ATMA1
Description	GANFET N-CH 650V 31A 8PSFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 31 A (Tc) 106W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IGT65R055D2ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1,6V à 2,6mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 4.7 nC @ 3 V
Série CoolGaN™ G5	Vgs (max.) -10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 340 pF @ 400 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 106W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-HSOF-8-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 31 A (Tc)	Boîtier 8-PowerSFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 66mohms à 7,9A