Name: IGOT65R045D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGOT65R045D2AUMA1TR-ND
Price: 10.6117 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IGOT65R045D2AUMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IGOT65R045D2AUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IGOT65R045D2AUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IGOT65R045D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IGOT65R045D2AUMA1
Description	GANFET N-CH 650V 34A 20BFSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 34 A (Tc) 109W (Tc) Montage en surface PG-DSO-20-91
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IGOT65R045D2AUMA1 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1,6V à 3,3mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6 nC @ 3 V
Série CoolGaN™ G5	Vgs (max.) -10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 430 pF @ 400 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 109W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-DSO-20-91
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 34 A (Tc)	Boîtier 20-BFSOP (0,295po, 7,50mm de largeur)
Rds On (max.) à Id, Vgs 54mohms à 10A