Name: IGB50N65S5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IGB50N65S5ATMA1TR-ND
Price: 3.7994 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IGB50N65S5ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IGB50N65S5ATMA1TR-ND - Bande et bobine IGB50N65S5ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IGB50N65S5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IGB50N65S5ATMA1
Description	IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	IGBT À tranchées à champ limité 650 V 80 A 270 W Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IGB50N65S5ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors IGBT IGBT simples	Énergie de commutation 1,23mJ (marche), 740µJ (arrêt)
Fabricant Infineon Technologies	Type d'entrée Standard
Série TRENCHSTOP™ 5	Charge de grille 120 nC
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Td (on/off) à 25°C 20ns/139ns
Statut du composant Actif	Condition de test 400V, 50A, 8,2ohms, 15V
Type d'IGBT À tranchées à champ limité	Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 650 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 80 A	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Courant - Impulsion collecteur (Icm) 200 A	Boîtier fournisseur PG-TO263-3
Vce(on) (max.) à Vge, Ic 1,7V à 15V, 50A	Numéro de produit de base IGB50
Puissance - Max. 270 W