Name: IGB110S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND
Price: 2.4805 EUR
Availability: InStock

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IGB110S10S1XTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IGB110S10S1XTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IGB110S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IGB110S10S1XTMA1
Description	GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 9 A (Ta), 23 A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) Montage en surface PG-TSON-4-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IGB110S10S1XTMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 11mohms à 10A, 5V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 2,9V à 3mA
Série CoolGaN™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 3.4 nC @ 5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±6,5V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 340 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 15W (Tc)
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9 A (Ta), 23 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TSON-4-2
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V	Boîtier 4-PowerTDFN