Name: IDM08G120C5XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IDM08G120C5XTMA1TR-ND
Price: 3.9446 EUR
Availability: InStock

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IDM08G120C5XTMA1
Numéro de produit DigiKey	IDM08G120C5XTMA1TR-ND - Bande et bobine IDM08G120C5XTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IDM08G120C5XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IDM08G120C5XTMA1
Description	DIODE SIL CARB 1200V 8A PGTO2522
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 1200 V 8A Montage en surface PG-TO252-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IDM08G120C5XTMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™+
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)	1200 V
Courant - Moyen redressé (Io)	8A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If	1.95 V @ 8 A
Vitesse	Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr	40 µA @ 1200 V
Capacité à Vr, F	365pF à 1V, 1MHz
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Boîtier fournisseur	PG-TO252-2
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de base	IDM08G120