Name: IDH04G65C6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IDH04G65C6XKSA1-ND
Price: 2.7709 EUR
Availability: InStock

Diode 650 V 12A Trou traversant PG-TO220-2

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IDH04G65C6XKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IDH04G65C6XKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IDH04G65C6XKSA1
Description	DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Référence client
Description détaillée	Diode 650 V 12A Trou traversant PG-TO220-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IDH04G65C6XKSA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples	Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns
Fabricant Infineon Technologies	Courant - Fuite inverse à Vr 14 µA @ 420 V
Conditionnement Tube	Capacité à Vr, F 205pF à 1V, 1MHz
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Type de montage Trou traversant
Technologies SiC (Silicon Carbide) Schottky	Boîtier TO-220-2
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 650 V	Boîtier fournisseur PG-TO220-2
Courant - Moyen redressé (Io) 12A	Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.35 V @ 4 A	Numéro de produit de base IDH04G65
Vitesse Temps de récupération nul > 500mA (Io)

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
STPSC6H065D	STMicroelectronics	937	497-13172-ND	26,46000 €	Similaire

En stock: 4 872

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	2,29000 €	2,29 €
50	1,12060 €	56,03 €
100	1,00710 €	100,71 €
500	0,80782 €	403,91 €
1 000	0,74374 €	743,74 €
2 000	0,68988 €	1 379,76 €
5 000	0,63162 €	3 158,10 €
10 000	0,60440 €	6 044,00 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.